[口头报告]Si/O共掺a-C:H薄膜的摩擦学行为及低摩擦机制

Si/O共掺a-C:H薄膜的摩擦学行为及低摩擦机制
编号:402 稿件编号:354 访问权限:仅限参会人 更新:2025-04-21 21:03:33 浏览:15次 口头报告

报告开始:2025年05月11日 10:00 (Asia/Shanghai)

报告时间:15min

所在会议:[B2] 薄膜科技论坛二 » [B21] 上午场

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摘要
温度的变化会导致摩擦界面处水分子的存在及含量的变化,进而影响摩擦界面区域湿度的变化。本文研究了RT-200℃下Si-DLC薄膜/GCr15球的摩擦学行为,通过摩擦界面分析、变温摩擦实验及不同相对湿度下的摩擦系数对比,阐明了温度诱导的摩擦学机理。研究发现,摩擦行为变化的转折温度受环境湿度影响较大,改变了转移层的存在状态,影响摩擦性能。
 
关键字
摩擦学行为、摩擦学机制、温度诱导、摩擦界面
报告人
尹萍妹
专任教师 新疆大学

稿件作者
尹萍妹 新疆大学
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